上海华力微电子有限公司刘涛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利NAND闪存器件及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111266559.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权NAND闪存器件及形成方法是由刘涛;巨晓华;王奇伟设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本NAND闪存器件及形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种NAND闪存器件的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上具有多个栅极，在所述栅极的两侧的衬底上形成有漏区和源区，所述栅极的两侧壁上形成有侧墙；形成介质层，所述介质层覆盖所述衬底、所述多个栅极及所述侧墙；对所述介质层执行第一次刻蚀工艺，在介质层内形成对准所述漏区的接触孔，并形成对准所述源区的接触沟槽，所述接触沟槽贯穿所述介质层并延伸至所述衬底；在所述介质层上形成保护层，所述保护层具有一开口，所述开口暴露出所述接触孔以及所述接触孔周围的部分所述介质层；所述保护层保护源区的接触沟槽不进行第二次刻蚀工艺，防止源区的接触沟槽内衬底的过多流失，从而能够解决晶圆漏电的问题。
本发明授权NAND闪存器件及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上具有多个栅极，在所述栅极的两侧的衬底上形成有漏区和源区，所述栅极的两侧壁上形成有侧墙； 形成介质层，所述介质层覆盖所述衬底、所述多个栅极及所述侧墙； 对所述介质层执行第一次刻蚀工艺，在介质层内形成对准所述漏区的接触孔，并形成对准所述源区的接触沟槽，所述接触沟槽贯穿所述介质层并延伸至所述衬底中； 在所述介质层上形成保护层，所述保护层具有一开口，所述开口暴露出所述接触孔以及所述接触孔周围的部分所述介质层； 执行第二次刻蚀工艺，以形成与所述接触孔连通的所述漏区的横向连线的沟槽，同时所述接触孔贯穿所述介质层并延伸至所述衬底中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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