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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利大功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038808B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111264988.9，技术领域涉及：H01L23/16；该发明授权大功率半导体器件是由王飞;曾文彬;孙文伟;操国宏;陈芳林;石铿;董超;邹平;刘应;唐柳生设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本大功率半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种大功率半导体器件。该大功率半导体器件包括：半导体芯片；半导体芯片位于大功率半导体器件的顶部；内部驱动板，其位于大功率半导体器件的底部；门极铜块，其设置在芯片门极区域与内部驱动板之间；铜块通过弹性导电组件下压位于内部驱动板上的MOSFET；弹性导电组件包括用于调节MOSFET所受压力大小的碟簧。利用该大功率半导体器件，其铜块通过弹性导电组件下压位于所述内部驱动板上的MOSFET，从而确保各个MOSFET所受压力的均匀一致，降低接触热阻与大功率半导体器件的内部压降，并通过控制弹性导电组件中碟簧的压缩量，将压力的大小控制在一定的范围内，防止压坏MOSFET。

本发明授权大功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种大功率半导体器件，其特征在于，包括： 半导体芯片，其包括环状的芯片门极区域、位于所述芯片门极区域内的第一芯片阴极区域和位于所述芯片门极区域外的第二芯片阴极区域；所述半导体芯片位于大功率半导体器件的顶部； 内部驱动板，其位于大功率半导体器件的底部； 内阴极铜块，其设置在所述第一芯片阴极区域与所述内部驱动板之间； 外阴极铜块，其设置在所述第二芯片阴极区域与所述内部驱动板之间； 门极铜块，其设置在所述芯片门极区域与所述内部驱动板之间； 所述门极铜块、所述内阴极铜块或所述外阴极铜块通过弹性导电组件下压位于所述内部驱动板上的门极MOSFET、内阴极MOSFET或外阴极MOSFET；所述弹性导电组件包括用于调节所述门极MOSFET、所述内阴极MOSFET或所述外阴极MOSFET所受压力大小的弹性件； 管盖，其设置在所述半导体芯片上方； 管座，其设置在所述内部驱动板下方；以及， 管壳，其环绕所述管座和所述管盖设置。

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