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龙图腾网获悉深圳市中融合众技术服务有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111267936.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法是由颜宇;颜妮娜设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法，包括在外延层对应元胞区的区域形成第二导电类型的多个第一掺杂区及在外延层对应屏蔽栅连线区的区域形成第二导电类型的第二掺杂区；在外延层的表层之中形成第二导电类型的第三掺杂区，并在外延层对应第一掺杂区的位置形成沟槽，所述沟槽延伸至第一掺杂区的部分区域；在沟槽中淀积多晶硅，并在第三掺杂区之中形成第一导电类型的第四掺杂区，本发明采用第一掺杂区作为屏蔽栅，替代了传统方法中的多晶硅屏蔽栅，因此不需要采用深沟槽工艺，也不需要在狭窄的沟槽之中制作多晶硅层间介质，从而避开了工艺方面难以控制的深沟槽工艺、多晶硅层间介质工艺的质量不稳定和可靠性问题。

本发明授权一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 在第一导电类型的衬底的表面生长第一导电类型的外延层，所述外延层的厚度为4-15微米； 在外延层对应元胞区的区域形成第二导电类型的多个第一掺杂区及在外延层对应屏蔽栅连线区的区域形成第二导电类型的第二掺杂区，形成所述第一掺杂区、第二掺杂区的离子注入工艺为多次离子注入，每次离子注入的能量和剂量不同，且所述第一掺杂区、第二掺杂区分布于外延层的设定区域的从表面至预设深度的纵深区域，所述预设深度为外延层的厚度的24-34，形成的所述第一掺杂区及所述第二掺杂区在注入过程中，采用多次能量和剂量递变的离子注入工艺形成第一掺杂区和第二掺杂区； 在外延层的表层之中形成第二导电类型的第三掺杂区，并在外延层对应第一掺杂区的位置形成沟槽，所述沟槽延伸至第一掺杂区的部分区域，所述沟槽的深度为1-2微米，且所述沟槽的宽度大于所述第一掺杂区的宽度； 在沟槽侧壁及外延层顶部生长氧化层，并激活第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区中的掺杂物； 在沟槽中淀积多晶硅，并覆盖于氧化层上，去除沟槽之外的多晶硅，以及在第三掺杂区之中形成第一导电类型的第四掺杂区，其中，第四掺杂区置于元胞区的区域内； 在氧化层和多晶硅上淀积介质层，并在介质层之中形成第一接触孔、第二接触孔及第三接触孔，并在第一接触孔、第二接触孔及第三接触孔内淀积金属形成第一金属连线，第二金属连线和第三金属连线； 所述第一接触孔穿过介质层进入到沟槽之中的多晶硅，所述第二接触孔依次穿过介质层、氧化层进入到第三掺杂区，所述第三接触孔依次穿过介质层、氧化层、第四掺杂区进入第三掺杂区。

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