中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利基于光电隔离的Micro-LED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064629B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111248207.7，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权基于光电隔离的Micro-LED器件及其制备方法是由徐峰;邓旭光;谭毅;张宝顺设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于光电隔离的Micro-LED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种基于光电隔离的Micro‑LED器件及其制备方法，所述Micro‑LED器件包括自下而上依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及电极，所述多量子阱层包括若干分离设置的多量子阱结构，P型半导体层包括若干位于多量子阱结构上的P型半导体结构，所述多量子阱结构上还设有形成于P型半导体结构侧壁上的隔离层，所述隔离层及多量子阱结构的侧壁上设有反射层，所述电极包括与N型半导体层电性连接的N电极及与P型半导体结构电性连接的P电极。本发明中的Micro‑LED器件通过引入隔离层及反射层，可以实现器件的电学隔离及光学隔离，提高了器件的发光效率及显示对比度，降低了光学串扰效应。
本发明授权基于光电隔离的Micro-LED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光电隔离的Micro-LED器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供衬底； 在衬底上依次外延生长N型半导体层、多量子阱层及P型半导体层； 对P型半导体层的非发光区域进行离子注入，形成若干离子注入区； 刻蚀部分离子注入区及其下方的多量子阱层，形成若干分离设置的多量子阱结构、及位于其上的P型半导体结构和隔离层； 在隔离层及多量子阱结构的侧壁上形成反射层； 在P型半导体结构上形成P电极，及，在N型半导体层上形成N电极。
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