湖南大学段曦东获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种超短沟道VSe2-WSe2二维材料及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111225217.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种超短沟道VSe2-WSe2二维材料及其制备和应用是由段曦东;吴瑞霞设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超短沟道VSe2-WSe2二维材料及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明属于二维材料制备和器件性能研究领域，具体公开了无光刻方法来制造超短沟道WSe2场效应晶体管的方法，步骤为：VCl3原料在530‑580℃的挥发温度、Se原料在360‑380℃的挥发温度下挥发；挥发后的原料以载气、600～620℃的沉积温度下在WSe2二维材料的表面反应沉积，随后冷却，沉积的相邻VSe2的晶界裂开形成超短沟道，制得所述的超短沟道VSe2‑WSe2二维材料。本发明还包括所述的方法制得的材料以及材料的应用。本发明方法，通过所述的材料以及工艺的联合控制，能够意外地在无光刻下获得窄沟道的材料，且该方法制得的材料制成的器件具有更优的性能。
本发明授权一种超短沟道VSe2-WSe2二维材料及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种超短沟道VSe2-WSe2二维材料的制备方法，其特征在于：VCl3原料在530-580℃的挥发温度、Se原料在360-380℃的挥发温度下挥发；挥发后的原料以载气、600~620℃的沉积温度下在WSe2二维材料的表面反应沉积，随后冷却，沉积的相邻VSe2的晶界裂开形成超短沟道，制得沟道宽度低于100nm的超短沟道VSe2-WSe2二维材料； 所述的WSe2二维材料的平面尺寸为100~500μm； 所述的载气为含氢气-保护气的混合气，其中，保护气的流量为80~130sccm，H2流量为1~4sccm； VCl3、Se的质量比为1：0.5~1。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南大学，其通讯地址为：410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号