南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司芦红获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司申请的专利一种半导体/金属/半导体量子阱结构、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111211968.5，技术领域涉及：H10D48/38；该发明授权一种半导体/金属/半导体量子阱结构、制备方法及其应用是由芦红;常梦琳;袁紫媛设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体/金属/半导体量子阱结构、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体金属半导体量子阱结构，其特征在于，包括第一半导体层、金属Al薄膜层和第二半导体层，其中金属Al薄膜层夹杂在第一半导体层和第二半导体层之间，金属Al薄膜层为取向唯一的单晶且没有孪晶。本发明还提供了一种半导体金属半导体量子阱结构的制备方法。本发明利用两步法外延制备的金属Al薄膜表面平整，单晶质量高，无孪晶，光学损耗低，半导体金属半导体量子阱结构可用于半导体量子信息器件。
本发明授权一种半导体/金属/半导体量子阱结构、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体金属半导体量子阱结构，其特征在于，包括第一半导体层、金属Al薄膜层和第二半导体层，其中所述金属Al薄膜层夹杂在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述金属Al薄膜层为取向唯一的单晶且没有孪晶，所述金属Al薄膜层的厚度为0.1-100nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司，其通讯地址为：210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号