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龙图腾网获悉矽磐微电子(重庆)有限公司申请的专利IPM封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871307B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111124246.6，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权IPM封装结构及其制作方法是由涂旭峰;霍炎设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本IPM封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种IPM封装结构及其制作方法，IPM封装结构包括：控制芯片、第一塑封层、再布线层、IGBT芯片、引脚以及第二塑封层；控制芯片包括若干第一焊盘，第一焊盘位于控制芯片的活性面；第一塑封层至少包覆控制芯片的侧表面，第一塑封层的正面暴露控制芯片的活性面；再布线层位于控制芯片的活性面与塑封层的正面上，再布线层至少用于对各个第一焊盘进行电路布局；IGBT芯片与引脚的内引脚部位于再布线层上，IGBT芯片与内引脚部都与再布线层电连接；第二塑封层包覆IGBT芯片、再布线层以及内引脚部，引脚的外引脚部暴露在第一塑封层与第二塑封层外。在再布线层的两侧分别设置控制芯片与IGBT芯片，可以减小封装结构的体积，提高集成度，使结构紧凑。

本发明授权IPM封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种IPM封装结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供载板与承载于所述载板的至少一组待塑封件，每组所述待塑封件包括：控制芯片，所述控制芯片包括若干第一焊盘，所述第一焊盘位于所述控制芯片的活性面；其中，所述控制芯片的活性面朝向所述载板； 在所述载板的表面形成包埋所述待塑封件的第一塑封层，所述第一塑封层包括相对正面与背面； 去除所述载板，暴露所述控制芯片的活性面以及所述第一塑封层的正面；在所述控制芯片的活性面以及所述第一塑封层的正面一侧形成再布线层，所述再布线层至少用于对组内的所述控制芯片的各个所述第一焊盘进行电路布局； 提供包括内引脚部与外引脚部的引脚，将所述再布线层设置在所述内引脚部上，且使所述内引脚部与所述再布线层电连接； 在所述再布线层上设置IGBT芯片，将所述IGBT芯片与所述再布线层电连接在一起； 形成包覆所述IGBT芯片、所述再布线层以及所述内引脚部的第二塑封层，使所述外引脚部暴露在所述第一塑封层与所述第二塑封层外； 所述待塑封件包括多组，在所述形成再布线层步骤与所述将所述再布线层设置在所述内引脚部上步骤之间，所述IPM封装结构的制作方法还包括：切割形成多个中间封装结构，每个所述中间封装结构包括一组所述待塑封件； 所述制作方法还包括：在所述第一塑封层的背面一侧设置第一散热板，使所述第一散热板与所述再布线层通过第一导电柱或第一导电插塞连接在一起，所述第一散热板用于所述控制芯片的散热或同时用于所述控制芯片与所述IGBT芯片的散热；所述第一散热板远离所述第二塑封层的表面到所述第二塑封层的距离大于所述外引脚远离所述第二塑封层的表面到所述第二塑封层的距离。

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