北京北方华创微电子装备有限公司张芳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备及其加热基座的温度控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113905464B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111113624.0，技术领域涉及：H05B3/02；该发明授权半导体工艺设备及其加热基座的温度控制方法是由张芳设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺设备及其加热基座的温度控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种加热基座的温度控制方法，包括：向可控硅元件提供与当前温度对应的检测控制电压，并检测可控硅元件向加热基座提供的加热电压以及可控硅元件与加热基座之间的供电电流，根据加热电压与供电电流确定加热基座的当前电阻。比较当前电阻与陶瓷加热基座在当前温度下的预定电阻，当当前电阻与预定电阻之间的差值不大于第一预设差值阈值时，采用与陶瓷加热基座对应的温度控制方式控制可控硅元件向加热基座输出加热电压。在本发明中半导体工艺设备能够自动判断加热基座是否为陶瓷加热基座，并采用对应的温度控制方式控制加热电压，消除了操作人员误判基座类型的安全风险，提高了半导体工艺设备的安全性。本发明还提供一种半导体工艺设备。
本发明授权半导体工艺设备及其加热基座的温度控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备中加热基座的温度控制方法，其特征在于，所述半导体工艺设备包括加热基座、温控器和可控硅元件，所述温控器用于根据目标温度和所述加热基座的当前温度改变向所述可控硅元件提供的控制电压，在与陶瓷加热基座对应的温度控制方式和与金属加热基座对应的温度控制方式之间切换，以改变所述可控硅元件向所述加热基座输出的加热电压，所述温度控制方法包括： 向所述可控硅元件提供与所述当前温度对应的检测控制电压，并检测所述可控硅元件向所述加热基座提供的加热电压以及所述可控硅元件与所述加热基座之间的供电电流，根据所述加热电压与所述供电电流确定所述加热基座的当前电阻； 比较所述当前电阻与陶瓷加热基座在所述当前温度下的预定电阻，当所述当前电阻与所述预定电阻之间的差值不大于第一预设差值阈值时，采用所述与陶瓷加热基座对应的温度控制方式控制所述可控硅元件向所述加热基座输出加热电压。
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