赫芯(浙江)微电子科技有限公司徐建卫获国家专利权
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龙图腾网获悉赫芯(浙江)微电子科技有限公司申请的专利一种硅基电容集成结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111068837.6，技术领域涉及：H01G4/002；该发明授权一种硅基电容集成结构及其制备方法是由徐建卫;汪鹏设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基电容集成结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅基电容集成结构及其制备方法，该硅基电容集成结构包括：衬底，隔离层，隔离层形成在衬底上；下电极层，下电极层设置在隔离层上；台阶结构，台阶结构设置在下电极层上，台阶结构内包围有至少一层介电层，介电层覆盖在下电极层上；上电极层，上电极层覆盖在介电层上；其中，台阶结构分隔介电层与上电极层的打线区域。基于上述结构，台阶结构能够分隔介电层与上电极层的打线区域，这样使得该电容的打线区域位于台阶结构的外部，避免打线应力集中在介电层内，从而避免电容的薄膜区域被击穿的情况发生，实现了可视化嵌埋电容结构。
本发明授权一种硅基电容集成结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基电容集成结构，其特征在于，包括： 衬底， 隔离层，所述隔离层形成在所述衬底上； 下电极层，所述下电极层设置在所述隔离层上； 台阶结构，所述台阶结构设置在所述下电极层上，所述台阶结构内包围有至少一层介电层，所述介电层覆盖在所述下电极层上； 上电极层，所述上电极层覆盖在所述介电层上，其面积大于所述介电层的面积； 其中，所述台阶结构分隔所述介电层与所述上电极层的打线区域， 所述上电极层的打线区域形成在所述台阶结构的上方， 所述下电极层的打线区域形成在所述下电极层与外界电元件连接的引线上， 所述上电极层的打线区域与所述下电极层的打线区域不重叠。
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