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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763372B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111028400.X，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由郑二虎设计研发完成，并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括第一区和第二区；在第一区上形成沿平行于衬底表面的第一方向分立的若干第一核心层；在第二区上形成沿平行于衬底表面的第二方向分立的若干第二核心层相邻第二核心层的第二尺寸大于相邻第一核心层的第一尺寸；在第一核心层和第二核心层侧壁表面、顶部表面形成侧墙材料层；采用第一刻蚀工艺刻蚀侧墙材料层，在第一核心层侧壁形成第一侧墙，第一侧墙在第一方向上具有第一尺寸；采用第二刻蚀工艺刻蚀侧墙材料层，在第二核心层侧壁形成第二侧墙，第二侧墙在第一方向上具有第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸；以第一侧墙和第二侧墙刻蚀待刻蚀层。所述方法形成的半导体结构形貌较好。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区； 在第一区上形成若干分立的第一核心层，若干所述第一核心层沿第一方向排列，所述第一方向平行于衬底表面； 在第二区上形成若干分立的第二核心层，若干所述第二核心层沿第一方向排列，相邻第二核心层的第二尺寸大于相邻第一核心层的第一尺寸，所述第一尺寸包括第一核心层沿第一方向上的尺寸以及相邻第一核心层之间的间距，所述第二尺寸包括第二核心层沿第一方向上的尺寸以及相邻第二核心层之间的间距； 在第一核心层侧壁表面和顶部表面、以及第二核心层侧壁表面和顶部表面形成侧墙材料层，所述第二核心层侧壁表面和顶部表面的侧墙材料层包括第一部分和位于第一部分上的第二部分，所述第一部分位于所述第二核心层侧壁，所述第二部分的底部平面与第二核心层的顶部平面齐平，所述第二部分包括第一区和位于第一区两侧的第二区，所述第一区位于第二核心层表面，所述第二区与第一部分相接，且所述第二区在第一方向上的尺寸沿第二方向逐渐增大，所述第二方向垂直于待刻蚀层表面； 采用第一刻蚀工艺刻蚀所述第一核心层侧壁表面和顶部表面的侧墙材料层，在第一核心层侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙在第一方向上具有第一尺寸； 采用第二刻蚀工艺刻蚀所述第二核心层侧壁表面和顶部表面的侧墙材料层，在第二核心层侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙在第一方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸； 以所述第一侧墙和第二侧墙刻蚀所述待刻蚀层。

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