厦门三安光电有限公司王彦钦获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利微型发光二极管及其制备方法、发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732610B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111000692.6，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权微型发光二极管及其制备方法、发光装置是由王彦钦;陈劲华;郭桓邵;彭钰仁;黄少华设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型发光二极管及其制备方法、发光装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种微型发光二极管及其制备方法、发光装置，该微型发光二极管包括由第一半导体层、有源层和第二半导体层组成的半导体堆叠层，第二半导体层中远离有源层的一侧表面设置有窗口层；窗口层包括砷化铝镓层、以及由砷化铝镓层侧壁的外表面向内氧化预设厚度的钝化层。本申请将窗口层的侧壁氧化成钝化层，该钝化层能够保证注入的电流不会流经窗口层和半导体堆叠层的侧壁，进而避免因窗口层和半导体堆叠层的侧壁缺陷所导致的非辐射复合现象，并提高微型发光二极管的发光效率。
本发明授权微型发光二极管及其制备方法、发光装置在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管，包括半导体堆叠层，所述半导体堆叠层包括第一半导体层、第二半导体层以及位于两者之间的有源层，所述第二半导体层远离有源层的一侧表面设置有窗口层； 其特征在于，所述窗口层包括砷化铝镓层、以及由所述砷化铝镓层侧壁的外表面向内氧化预设厚度的钝化层，所述窗口层包括由第一叠层和第二叠层交替形成的周期性结构，且每个周期内所述第一叠层位于所述窗口层靠近第二半导体层的一侧，每个周期内，所述第一叠层中的铝含量大于所述第二叠层中的铝含量；所述窗口层靠近第二半导体层的表面定义为A面，所述窗口层远离第二半导体层的一侧表面定义为B面，所述钝化层在A面的厚度DA1大于所述钝化层在B面的厚度DB1；随着所述窗口层周期数的增大，所述第一叠层侧壁处的钝化层厚度减小，所述第二叠层侧壁处的钝化层厚度保持不变或者减小。
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