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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267737B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110879401.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由一关健太郎;可知刚;大麻浩平设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置包括第一半导体区域，设置于第一电极之上，与第一电极电连接，是第一导电型；第二半导体区域，设置于第一半导体区域的一部分之上，是第二导电型；第三半导体区域，设置于第二半导体区域之上，是第一导电型；第一导电部，具有与第二半导体区域的侧面对置的部分；第二导电部，具有与第一半导体区域的侧面对置的部分；第二电极，设置于第二半导体区域及第三半导体区域之上，与第二半导体区域及第三半导体区域电连接；第一导电区域，设置于第二导电部之上，与第二导电部电连接；第一电极区域，与第一导电区域电连接；导电层，与第一导电区域及第一电极区域中的至少任一个以及第二电极电连接。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 第一电极； 第一导电型的第一半导体区域，设置于所述第一电极之上，与所述第一电极电连接； 第二导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域的一部分之上； 第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域之上； 第一导电部，具有与所述第二半导体区域的侧面对置的部分； 第二导电部，具有与所述第一半导体区域的侧面对置的部分； 第二电极，设置于所述第二半导体区域及所述第三半导体区域之上，与所述第二半导体区域及所述第三半导体区域电连接； 第一导电区域，设置于所述第二导电部之上，与所述第二导电部电连接； 第一电极区域，与所述第一导电区域电连接；以及 导电层，与所述第一导电区域及所述第一电极区域中的至少任一个以及所述第二电极电连接， 所述第一导电区域在第二方向上延伸，所述第二方向与从所述第一电极朝向所述第一半导体区域的第一方向垂直， 所述第二导电部在相对于所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上延伸， 所述第一导电区域位于所述第二导电部的所述第三方向的中央部之上， 所述第二电极具有第一区域和在所述第三方向上与所述第一区域分离的第二区域， 所述第一电极区域配置在所述第一区域和所述第二区域之间。

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