华为技术有限公司;深圳市曙芯生物科技有限公司刘力维获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司;深圳市曙芯生物科技有限公司申请的专利用于合成DNA的芯片的制备方法及该芯片的用途、DNA的合成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115591591B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110767692.2，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权用于合成DNA的芯片的制备方法及该芯片的用途、DNA的合成方法是由刘力维;赵智;徐君设计研发完成，并于2021-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于合成DNA的芯片的制备方法及该芯片的用途、DNA的合成方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种用于合成DNA的芯片的制备方法及该芯片的用途、DNA的合成方法。该制备方法包括以下步骤：在覆有硅烷膜层的基板表面，喷墨打印亲水物质，待亲水物质与硅烷膜层反应形成共价连接后，在硅烷膜层的表面形成亲水点阵；利用疏水物质在硅烷膜层的除亲水点阵之外的剩余表面进行疏水封闭，以在亲水点阵外形成疏水区域，疏水物质与硅烷膜层共价连接；其中，亲水物质包括亲水分子，亲水分子的两个端基中，其中一个端基用于与硅烷膜层形成共价连接，另一个端基为碱基。利用该制备方法可在形成亲疏水区域的同时，简化芯片的制备工艺，降低芯片的制造成本。
本发明授权用于合成DNA的芯片的制备方法及该芯片的用途、DNA的合成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于合成DNA的芯片的制备方法，其特征在于，包括： 在覆有硅烷膜层的基板表面，喷墨打印亲水物质，待所述亲水物质与所述硅烷膜层反应形成共价连接后，在所述硅烷膜层的表面形成亲水点阵； 利用疏水物质在所述硅烷膜层的除所述亲水点阵之外的剩余表面进行疏水封闭，以在所述亲水点阵外形成疏水区域，所述疏水物质与所述硅烷膜层共价连接； 其中，所述亲水物质包括亲水分子，所述亲水分子的两个端基中，其中一个端基用于与所述硅烷膜层形成共价连接，另一个端基为碱基。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司;深圳市曙芯生物科技有限公司，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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