台湾积体电路制造股份有限公司蒋国璋获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利晶体管和形成氧化物半导体晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110721471.1，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权晶体管和形成氧化物半导体晶体管的方法是由蒋国璋;孙宏彰;杨子庆;赖昇志;江昱维;谢佑刚;杨丰诚设计研发完成，并于2021-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管和形成氧化物半导体晶体管的方法在说明书摘要公布了：包括沟道层的晶体管及其制造方法，沟道层包括氧化物半导体材料。该晶体管包括沟道层，该沟道层包括具有第一氧浓度的第一氧化物半导体层、具有第二氧浓度的第二氧化物半导体层和具有第三氧浓度的第三氧化物半导体层。第二氧化物半导体层位于第一半导体氧化物层和第三氧化物半导体层之间。第二氧浓度低于第一氧浓度和第三氧浓度。本发明的实施例还涉及形成氧化物半导体晶体管的方法。
本发明授权晶体管和形成氧化物半导体晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，包括： 堆叠的栅电极，彼此堆叠并通过第一介电层隔开； 第二介电层，沿着每个所述栅电极的侧壁设置； 源电极和漏电极；以及 沟道层，具有面对所述第二介电层的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及位于所述第一表面和所述第二表面之间的中间部分，其中，所述源电极和所述漏电极与所述沟道层的所述第二表面电接触，所述第二介电层的部分设置在所述沟道层与每个所述栅电极的所述侧壁之间，并且所述沟道层具有靠近所述沟道层的所述第二表面的第一载流子浓度和所述沟道层的所述中间部分中的第二载流子浓度，并且所述第一载流子浓度小于所述第二载流子浓度； 其中，所述沟道层包括： 第一氧化物半导体层，具有第一氧浓度； 第二氧化物半导体层，具有第二氧浓度；以及 第三氧化物半导体层，具有第三氧浓度； 其中，所述第二氧化物半导体层位于所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层之间； 其中，所述第二氧化物半导体层的厚度大于所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层的组合厚度。
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