中国科学院微电子研究所杨成樾获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种SiC沟槽的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110706098.2，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种SiC沟槽的刻蚀方法是由杨成樾;刘新宇;白云;王臻星;韩忠霖;汤益丹;陈宏;田晓丽;陆江;郝继龙设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC沟槽的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SiC沟槽的刻蚀方法，属于半导体加工技术领域，用于解决刻蚀后沟槽的侧壁粗糙度远高于外延和抛光过的晶圆表面，过高的粗糙度会降低导电沟道的迁移率和栅氧可靠性的问题。所述方法包括：在碳化硅基质表面制备图形化的掩膜层；对所述掩膜层进行图形优化；利用所述图形优化后的掩膜层对所述碳化硅基质进行刻蚀。本发明提供的技术方案能够降低刻蚀后碳化硅的侧壁粗糙度和表面波纹度，并保证器件的电学性能。
本发明授权一种SiC沟槽的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC沟槽的刻蚀方法，其特征在于，包括： 步骤1、在碳化硅基质上制备掩膜层，沿远离碳化硅基质表面方向，所述掩膜层依次包括：第一掩膜介质层和第二掩膜介质层； 步骤2、对所述第二掩膜介质层进行图形化； 步骤3、以所述第二掩膜介质层为掩膜刻蚀所述第一掩膜介质层，将第二掩膜介质层上的图形传导转移到第一掩膜介质层上；完成第一掩膜介质层图形化后去除残留的第二掩膜介质层并清洗衬底； 步骤4、采用回流工艺对所述第一掩膜介质层形貌进行调整；在完成碳化硅刻蚀前，通过回流的方法降低掩膜层侧壁粗糙度和表面波纹度，优化掩膜层上图形，避免刻蚀工艺的图形转移过程中掩膜侧壁波纹的传导，从而降低刻蚀后碳化硅的侧壁粗糙度和表面波纹度； 步骤5、以所述第一掩膜介质层为掩膜刻蚀碳化硅基质，形成所需的沟槽结构； 第一掩膜介质层与碳化硅基质的刻蚀选择比为2-3； 所述第一掩膜介质层与所述第二掩膜介质层的厚度比为1:2-1:3； 所述步骤4，包括：在惰性气氛和加热温度800℃-1200℃的条件下，加热30min-60min。
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