台湾积体电路制造股份有限公司李泓纬获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利晶体管和形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113497156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110696884.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权晶体管和形成半导体器件的方法是由李泓纬;蒋国璋;马礼修;杨世海;林佑明设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管和形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本申请的实施例提供了一种晶体管器件及其制造方法，该晶体管器件包括：衬底；字线，设置在衬底上；栅极绝缘层，设置在字线上；双层半导体沟道，包括：第一沟道层，设置在栅极绝缘层上；和第二沟道层，设置在第一沟道层上，使得第二沟道层接触第一沟道层的侧面和顶面；以及源电极和漏电极，电耦合至第二沟道层。当向字线施加电压时，第一沟道层具有第一电阻，第二沟道层具有与第一电阻不同的第二电阻。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
本发明授权晶体管和形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，包括： 衬底； 字线，设置在所述衬底上； 栅极介电层，设置在所述字线上； 双层半导体沟道，包括： 第一沟道层，设置在所述栅极介电层上且具有第一电阻；和 第二沟道层，设置在所述第一沟道层上且具有与所述第一电阻不同的第二电阻，使得所述第二沟道层接触所述第一沟道层的侧面和顶面；以及 源电极和漏电极，电耦合至所述第二沟道层； 其中，所述第一电阻高于所述第二电阻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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