山东大学林兆军获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种具有辅助栅结构的开口栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110625371.9，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种具有辅助栅结构的开口栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及应用是由林兆军;刘阳;吕元杰;曹照真;周衡;姜光远设计研发完成，并于2021-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有辅助栅结构的开口栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有辅助栅结构的开口栅AlGaNGaN异质结场效应晶体管及应用，属于微电子研究技术领域，相对于常规的开口栅AlGaNGaN异质结场效应晶体管，本发明引入了未开口的辅助栅结构，有效改善了开口栅器件的饱和特性。辅助栅位于器件的漏极与开口主栅之间，其目的在于固定所在区域的表面电位，使开口栅器件的电流饱和摆脱对表面虚栅的依赖，从而改善器件饱和特性，使其更加稳定可控。通过对主栅和辅助栅施加不同电位，可以获得不同的器件工作模式，这使得本发明在电路中的应用更加灵活，更适合于日益复杂的集成电路领域。
本发明授权一种具有辅助栅结构的开口栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及应用在权利要求书中公布了：1.一种具有辅助栅结构的开口栅AlGaNGaN异质结场效应晶体管，其特征在于，该晶体管包括源极、漏极、位于源极和漏极之间的栅极，所述的栅极为双栅结构，栅极包括主栅和辅助栅，所述的主栅包括横向开口； 所述的辅助栅没有横向开口，所述的辅助栅位于漏极和主栅之间，辅助栅宽度=主栅宽 度+开口宽度=总沟道宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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