华为技术有限公司喻志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利磁性薄膜及其制备方法、半导体封装模组和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115413210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110586639.2，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权磁性薄膜及其制备方法、半导体封装模组和电子设备是由喻志刚;周俭军;狄伟;刘刚;李维;刘星;官建国;吴天龙设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性薄膜及其制备方法、半导体封装模组和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种磁性薄膜，包括基底和复合层。复合层包括层叠的多个磁性层和绝缘的多个介质层，多个磁性层和多个介质层在所述基底一侧层叠交替排布。每一个磁性层的厚度为2nm‑100nm；每一个介质层的厚度为2nm‑10nm。复合层包括非周期性分布的多条裂纹。至少部分裂纹沿垂直复合层的层叠方向的横截面的延伸方向不同，至少部分的裂纹沿垂直复合层的层叠方向的横截面非直线延伸。本申请还提供该种应用该磁性薄膜的电子设备和半导体封装模组、该磁性薄膜的制备方法。所述磁性薄膜为在射频微波频段具有高磁导率的吸波材料。所述磁性薄膜在厚度达到微米级的条件下仍具有高磁导率和高电阻率。
本发明授权磁性薄膜及其制备方法、半导体封装模组和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种磁性薄膜，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底一侧的复合层，所述复合层包括层叠的多个磁性层和多个介质层，所述多个磁性层和所述多个介质层在所述基底一侧交替排布； 每一个磁性层的厚度为2nm-100nm；每一个介质层的厚度为2nm-10nm；所述复合层的厚度为50nm-10µm；所述复合层包括多条裂纹，所述多条裂纹非周期性分布，至少部分所述多条裂纹沿垂直所述复合层的层叠方向的横截面的延伸方向不同，至少部分所述多条裂纹沿垂直所述复合层的层叠方向的横截面非直线延伸； 所述多条裂纹为溅射形成所述复合层的过程中，所述复合层中的内应力释放导致。
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