华为技术有限公司;大连理工大学王译获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司;大连理工大学申请的专利一种自旋波逻辑器件及相关电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114975767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110579887.4,技术领域涉及:H10N50/20;该发明授权一种自旋波逻辑器件及相关电路是由王译;李文波;刘娜;闫鑫;赵俊峰;罗时江设计研发完成,并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自旋波逻辑器件及相关电路在说明书摘要公布了:一种自旋波逻辑器件及相关电路。该自旋波逻辑器件包括沟道以及位于所述沟道之上的漏极和源极。所述源极用于产生自旋波信号。所述沟道用于将所述自旋波信号传输到所述漏极。所述漏极包括磁性隧道结或自旋阀结构,所述漏极用于根据所述自旋波信号呈现出不同阻态,其中,所述不同阻态用于指示不同的逻辑值。所述自旋波逻辑器件能够通过隧穿磁电阻或者巨磁电阻来探测磁子信号,防止断电后信息丢失,实现磁子信息的有效存储。
本发明授权一种自旋波逻辑器件及相关电路在权利要求书中公布了:1.一种自旋波逻辑器件,其特征在于,包括: 沟道以及位于所述沟道之上的漏极和源极; 所述源极,用于产生自旋波信号; 所述沟道,用于将所述自旋波信号传输到所述漏极,所述沟道的材料采用磁性绝缘体材料,所述沟道用于传输磁子; 所述漏极,包括磁性隧道结或自旋阀结构,用于根据所述自旋波信号呈现出不同阻态,其中,所述不同阻态用于指示不同的逻辑值; 所述自旋波逻辑器件还包括栅极,位于所述源极和所述漏极之间,包括重金属材料或磁性材料,所述栅极用于调控所述自旋波信号的传输。
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