华润微电子(重庆)有限公司焦伟获国家专利权
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龙图腾网获悉华润微电子(重庆)有限公司申请的专利MOSFET器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110566514.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权MOSFET器件及制备方法是由焦伟;刘华瑞设计研发完成，并于2021-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOSFET器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MOSFET器件及制备方法，引入具有不同掺杂浓度的双层外延以及较深的具有不同厚度栅介电层的沟槽栅极结构，能够使得在一定沟槽深度情况下MOSFET器件取得较高的耐压，显著降低了导通电阻和反向恢复时间；在沟槽栅极结构中，形成的具有不同厚度的栅介电层以及具有同一平面的栅导电层的复合沟槽栅结构的制备工艺简单，便于制造实现，且制造成本较低；在外延结构中引入缺陷中心，还可进一步的降低MOSFET器件的反向恢复时间，从而可大幅提升电源系统的整流效率，同时双层外延提供了软的反向恢复特性，显著降低了系统的电压和电流尖峰，提高了系统可靠性。
本发明授权MOSFET器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件包括： 具有第一导电类型的外延结构，所述外延结构包括堆叠设置的第一外延层及第二外延层，且所述第一外延层的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度，所述外延结构为具有缺陷中心的外延结构，形成所述缺陷中心的物质包括锂、铁及铜中的一种或组合，且所述缺陷中心均匀分布于所述第一外延层及所述第二外延层中； 沟槽栅极结构，所述沟槽栅极结构设置于所述外延结构中，包括第一沟槽栅极结构及第二沟槽栅极结构，其中，所述第一沟槽栅极结构包括第一栅介电层及第一栅导电层，所述第二沟槽栅极结构包括第二栅介电层及第二栅导电层，且所述第二沟槽栅极结构位于所述第一栅介电层上，并位于部分所述第一栅导电层的外围，且所述第一栅介电层直接作为所述第二沟槽栅极结构中的所述第二栅介电层应用； 具有第二导电类型的体区，所述体区设置于所述沟槽栅极结构之间的所述第二外延层中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反； 具有第一导电类型的源区，所述源区设置于所述体区上。
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