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龙图腾网获悉深圳市实锐泰科技有限公司申请的专利一种高频单元介质结构及刚挠结合板的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113260164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110539478.1，技术领域涉及：H05K3/06；该发明授权一种高频单元介质结构及刚挠结合板的制作方法是由刘会敏;王文剑;刘金娸设计研发完成，并于2021-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高频单元介质结构及刚挠结合板的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高频单元介质结构及刚挠结合板的制作方法，其中制作高频单元介质结构取陶瓷基板包括：在陶瓷基板上制作槽体，高频单元介质结构以槽体分为保留区和非保留区；在陶瓷基板上制作油墨层；在油墨层上制作离型层，离型层覆盖非保留区及槽体；精修离型层；显影油墨层；采用半固化片填充落差，形成高频单元介质结构；制作刚挠结合板包括：制作挠性板；将挠性板与高频单元介质结构进行交替排版结构，整板压合；去掉非保留区的高频单元介质结构，形成刚挠结合板；本发明高频单元介质结构制作简便，刚挠结合板实现模块化制作，能够在简便、可靠的条件下，制作出具有较大落差的高频刚挠结合板产品。

本发明授权一种高频单元介质结构及刚挠结合板的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种刚挠结合板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S200：制作所述刚挠结合板压合所需的挠性板； S210：将所述挠性板与高频单元介质结构进行交替排版结构，并进行整板压合，所述交替排版结构包含至少一个所述挠性板和至少一个所述高频单元介质结构； 所述高频单元介质结构制作步骤包括： S100：取陶瓷基板，在所述陶瓷基板上制作槽体，所述高频单元介质结构以所述槽体分为保留区和非保留区； S110：在所述陶瓷基板上制作油墨层； S120：在所述油墨层上制作离型层，所述离型层覆盖于所述非保留区及所述槽体； S130：精修所述离型层；所述精修为采用激光烧蚀修整所述保留区的所述离型层； S140：显影所述油墨层； S150：采用半固化片填充落差，形成所述高频单元介质结构； S220：去掉所述非保留区的所述高频单元介质结构，形成刚挠结合板，所述去掉所述非保留区的所述高频单元介质结构，为沿所述槽体弯折所述整板，折断所述高频单元介质结构后去掉所述非保留区的所述高频单元介质结构。

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