台湾积体电路制造股份有限公司吴国晖获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113363258B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110530280.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权集成电路及其形成方法是由吴国晖;王柏钧;蔡维欣;陈志良;田丽钧设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例公开了集成电路及其形成方法。集成电路包括第一电源轨、第二电源轨、信号线和第一组晶体管的第一有源区。第一电源轨在衬底的背侧上，并且在第一方向上延伸。第二电源轨在衬底的背侧上，在第一方向上延伸，并且在不同于第一方向的第二方向上与第一电源轨分离。信号线在衬底的背侧上，并且在第一方向上延伸，并且在第一电源轨和第二电源轨之间。第一组晶体管的第一有源区在第一方向上延伸，并且在衬底的与背侧相对的前侧的第一层级上。
本发明授权集成电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 第一电源轨，在衬底的背侧上并沿第一方向延伸， 第二电源轨，在所述衬底的所述背侧上，在所述第一方向上延伸，并且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一电源轨分离； 信号线，在所述衬底的所述背侧上，并且在所述第一方向上延伸，并且在所述第一电源轨和所述第二电源轨之间；以及 第一晶体管组的第一有源区，所述第一有源区在所述第一方向上延伸，并且位于所述衬底的与所述背侧相对的前侧的第一层级上； 第二晶体管组的第二有源区，所述第二有源区在所述第一方向上延伸，在所述衬底的所述前侧的所述第一层级上，并且在所述第二方向上与所述第一有源区分离； 第一接触件，在所述第二方向上延伸，与所述第一有源区和所述信号线重叠，并且位于与所述第一层级不同的第二层级上；以及 第二接触件，在所述第二方向上延伸，与所述第二有源区和所述信号线重叠，位于所述第二层级上，通过所述信号线电连接到所述第一接触件， 其中，所述第一接触件完全包封在所述第一有源区的周围，所述第二接触件完全包封在所述第二有源区的周围。
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