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龙图腾网获悉惠州市超力源科技有限公司申请的专利一种低功耗双向数据隔离电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347893B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110530398.X，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种低功耗双向数据隔离电路是由王译玮;彭彩煌;袁江设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗双向数据隔离电路在说明书摘要公布了：本发明涉及通信电平转换技术领域，为了解决现有技术中通信电平转换中存在的成本高和功耗相关的技术问题，本发明的目的在于提供一种低功耗双向数据隔离电路，包括三极管Q1、三极管Q7、NMOS管Q2、NMOS管Q3、NMOS管Q4和NMOS管Q5，分别直接或通过电阻、二极管与高电压侧逻辑单元的电源正极、时钟信号、数据信号和电源负极连接，与低电压侧逻辑单元的电源正极、时钟信号、数据信号和电源负极连接，通过较少的通用电阻、三极管和NMOS管，可实现两个高电压差的通信隔离，可很好的解决采用隔离芯片产生的成本较高、BMS工作时功耗偏大问题和高低电压侧逻辑单元功耗不一致的问题。

本发明授权一种低功耗双向数据隔离电路在权利要求书中公布了：1.一种低功耗双向数据隔离电路，其特征在于，包括三极管Q1、三极管Q7、NMOS管Q2、NMOS管Q3、NMOS管Q4和NMOS管Q5，以及用于和高电压侧逻辑单元的电源正极连接的接口VCC、用于和高电压侧逻辑单元的时钟信号或数据信号连接的高电压侧通信接口、用于和高电压侧逻辑单元的电源负极连接的接口HGND、用于和低电压侧逻辑单元的电源正极连接的接口VCC_MCU、用于和低电压侧逻辑单元的时钟信号或数据信号连接的低电压侧通信接口、用于和低电压侧逻辑单元的电源负极连接的接口GND，所述三极管Q1和三极管Q7为PNP型三极管； 所述三极管Q1的基极用于和高电压侧通信信号接口连接，所述三极管Q1的发射极通过电阻R2与所述接口VCC连接，所述接口VCC与所述三极管Q1的基极之间连接有上拉电阻R5，所述三极管Q1的集电极依次通过电阻R12、电阻R7与所述接口GND连接； 所述接口VCC依次通过电阻R1、电阻R3与所述NMOS管Q3的漏极连接，所述NMOS管Q3的源极与所述接口GND连接； 所述NMOS管Q2的漏极与所述三极管Q1的发射极连接，所述NMOS管Q2的源极与所述接口HGND连接，所述NMOS管Q2的栅极通过电阻R3与所述NMOS管Q3的漏极连接； 所述接口VCC_MCU依次通过电阻R9、电阻R4与所述接口GND连接，电阻R9和R4组成的串联电路用于给所述NMOS管Q3的栅极提供分压； 所述NMOS管Q4的漏极与源极之间连接有电阻R4，所述NMOS管Q4的栅极与源极之间连接有电阻R6，所述NMOS管Q4的栅极与所述三极管Q7的集电极连接，所述NMOS管Q4的源极与所述接口GND连接； 所述三极管Q7的基极依次通过电阻R10、电阻R11与所述接口VCC_MCU连接，所述三极管Q7的基极通过电阻R10与所述低电压侧通信信号接口连接； 所述NMOS管Q5的漏极通过电阻R8与所述接口VCC连接，所述NMOS管Q5的漏极与所述三极管Q7的发射极连接，所述NMOS管Q5的源极与所述接口GND连接，所述NMOS管Q5的栅极与源极之间连接有电阻R7，电阻R7与R12组成的串联电路用于给所述NMOS管Q5的栅极提供分压； 还包括用于提高所述NMOS管Q4开关速度的NMOS管Q15，所述NMOS管Q15的栅极与低电压侧通信接口连接，所述NMOS管Q15的漏极与所述NMOS管Q4的栅极连接，所述NMOS管Q15的源极与所述NMOS管Q4的源极连接。

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