台湾积体电路制造股份有限公司李乾铭获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利磁存储器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110476211.2，技术领域涉及：H10N52/80；该发明授权磁存储器件及其形成方法是由李乾铭;林世杰设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储器件及其形成方法在说明书摘要公布了：磁存储器件包括自旋轨道扭矩SOT感应自旋霍尔电极和设置在自旋霍尔电极上的磁隧道结MTJ堆叠件的自由层，自由层是合成反铁磁结构。自由层具有磁矩，该磁矩相对于MTJ堆叠件的长轴倾斜，并且相对于电流流过自旋霍尔电极的方向倾斜。MTJ堆叠件内部产生磁场以切换自由层的状态。自由层包括通过间隔层与第二层隔开的第一层，其中第一层和第二层可以具有相同或不同的晶体结构。本申请的实施例提供了磁存储器件及其形成方法。
本发明授权磁存储器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种磁存储器件，包括： 自旋霍尔电极，所述自旋霍尔电极包括自旋霍尔金属； 磁隧道结堆叠件，设置在所述自旋霍尔电极上方，所述磁隧道结包括与所述自旋霍尔电极接合的合成反铁磁自由层，所述合成反铁磁自由层包括第一磁层、第二磁层和插入在所述第一磁层和所述第二磁层之间的间隔层； 第一导线，耦合至所述自旋霍尔电极的第一端；以及 第二导线，耦合至所述自旋霍尔电极的第二端，所述第一端和所述第二端相对， 其中，所述磁隧道结堆叠件在俯视图中呈椭圆形，并且所述磁隧道结堆叠件的长轴平行于所述自旋霍尔电极的第一端与所述自旋霍尔电极的第二端之间的电流流动方向， 其中，所述第一磁层的磁矩和所述第二磁层的磁矩从所述磁隧道结堆叠件的长轴开始分别以相反的方向旋转， 其中，所述第一导线电连接至第一晶体管的源极漏极，所述第二导线电连接至第二晶体管的源极漏极，所述磁隧道结堆叠件的与所述自旋霍尔电极相对的一端通过导电图案连接至所述磁存储器件的位线， 其中，所述第一导线和所述第二导线被配置为使得从所述第一导线至所述第二导线流动的电流平行于所述磁隧道结堆叠件的长轴。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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