株式会社日立功率半导体山崎真尚获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立功率半导体申请的专利接合夹具以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115516610B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180032770.2，技术领域涉及：H01L21/52；该发明授权接合夹具以及半导体装置的制造方法是由山崎真尚;宫崎高彰;池田靖;串间宇幸设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本接合夹具以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种接合夹具100，其具备：顶板1；加压构件2，其上端部安装于顶板1；薄板31～34，其在俯视下包围加压构件2；以及圆柱状的支承构件41～44。薄板31～34的上端部分别安装于顶板1，支承构件41～44的侧面分别安装于薄板31～34的下端部。
本发明授权接合夹具以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种接合夹具，其特征在于，具备： 顶板； 加压构件，其上端部安装于所述顶板； 第一薄板、第二薄板、第三薄板以及第四薄板，其上端部以俯视下包围所述加压构件的方式安装于所述顶板； 圆柱状的第一支承构件，其侧面安装于所述第一薄板的下端部； 圆柱状的第二支承构件，其侧面安装于所述第二薄板的下端部； 圆柱状的第三支承构件，其侧面安装于所述第三薄板的下端部；以及 圆柱状的第四支承构件，其侧面安装于所述第四薄板的下端部， 所述第一支承构件、所述第二支承构件、所述第三支承构件以及所述第四支承构件在俯视下完全包围所述加压构件， 在半导体芯片的烧结接合时，能够在使所述半导体芯片的四个侧面紧贴于所述第一支承构件、所述第二支承构件、所述第三支承构件以及所述第四支承构件的状态下，利用所述加压构件对所述半导体芯片的上表面进行加压。
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