琳得科株式会社岩屋涉获国家专利权
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龙图腾网获悉琳得科株式会社申请的专利半导体装置制造用片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114586141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006002.X，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权半导体装置制造用片是由岩屋涉;佐藤阳辅设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置制造用片在说明书摘要公布了：本发明为一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。
本发明授权半导体装置制造用片在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂， 所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成， 所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分， 所述中间层含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与硅氧烷类化合物， 通过X射线光电子能谱法对所述中间层的所述膜状粘合剂侧的面进行分析时，硅的浓度相对于碳、氧、氮及硅的合计浓度的比例为1～20％， 在所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的质量相对于所有的结构单元的合计质量的比例为10～40质量％， 在所述中间层中，所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为90～99.99质量％， 在所述中间层中，所述硅氧烷类化合物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为0.01～10质量％。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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