台湾积体电路制造股份有限公司郭宏达获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成微机电系统结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113942973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110314941.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权形成微机电系统结构的方法是由郭宏达;王乙翕;杨子平;王兴宇;赵书汉;许希丞;周银铜;纪元兴;林生元设计研发完成，并于2021-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成微机电系统结构的方法在说明书摘要公布了：可从共晶接合序列省略预清洁工艺。为了从微机电系统MEMS结构的器件晶片的一个或多个表面去除氧化物，相对于在进行预清洁工艺时酸基刻蚀工艺的持续时间，可增加共晶接合序列中的酸基刻蚀工艺的持续时间。酸基刻蚀工艺的持续时间增加使得酸基刻蚀工艺能够在不使用前述预清洁工艺的情况下从器件晶片的一个或多个表面去除氧化物。这降低共晶接合序列的复杂度和循环时间，降低微机电系统结构的悬置机械组件之间粘附的风险，和或降低微机电系统结构在制造期间可能变得有缺陷或不可操作的可能性，这增加工艺产量。
本发明授权形成微机电系统结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成微机电系统结构的方法，包括： 从第一晶片去除光刻胶层后，使用酸性刻蚀剂刻蚀所述第一晶片一持续时间以从所述第一晶片的一个或多个部分的表面上去除原生氧化物， 其中所述持续时间在大约20秒到大约30秒范围内， 其中所述酸性刻蚀剂包含以下中的至少一种：硝酸，乙酸，或磷酸， 其中在没有在从所述第一晶片去除所述光刻胶层与使用所述酸性刻蚀剂刻蚀所述第一晶片之间的介入预清洁工艺的情况下，刻蚀所述第一晶片所述持续时间使得能够从所述第一晶片的所述一个或多个部分的所述表面上去除所述原生氧化物；以及 在刻蚀所述第一晶片之后进行所述第一晶片和第二晶片的共晶接合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号