中国电子科技集团公司第四十八研究所龚俊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十八研究所申请的专利一种用于刻蚀的圆形离子源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116811B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110290430.1，技术领域涉及：H01J37/08；该发明授权一种用于刻蚀的圆形离子源是由龚俊;佘鹏程;范江华设计研发完成，并于2021-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于刻蚀的圆形离子源在说明书摘要公布了：用于刻蚀的圆形离子源，包括放电弧室，放电弧室底部设有第一磁场组件，第一磁场组件外周设有第二磁场组件，放电弧室外周设有第三磁场组件且顶部设有栅网组件，第一磁场组件包括磁柱盘，磁柱盘上沿径向设有多圈磁柱孔，磁柱孔中设有第一磁柱且各圈第一磁柱靠近放电弧室的一侧设有第一导磁环，第二磁场组件包括第二导磁环、位于第二导磁环外周的第三导磁环及多根沿圆周方向布置于第二导磁环和第三导磁环之间的第二磁柱，第二磁柱沿径向布置，第三磁场组件包括第四导磁环、位于第四导磁环上方的第五导磁环、及多组沿圆周方向布置于第四导磁环和第五导磁环之间的第三磁柱。本发明有利于调节放电弧室内磁场强度，进而调节大直径范围内的刻蚀均匀性。
本发明授权一种用于刻蚀的圆形离子源在权利要求书中公布了：1.一种用于刻蚀的圆形离子源，其特征在于：包括圆筒状的放电弧室1，所述放电弧室1底部设有第一磁场组件2，所述第一磁场组件2外周设有第二磁场组件3，放电弧室1外周设有第三磁场组件4且顶部设有栅网组件5，所述第一磁场组件2包括磁柱盘21，所述磁柱盘21上沿径向设有多圈磁柱孔22，所述磁柱孔22中设有第一磁柱23且各圈第一磁柱23上侧设有第一导磁环24，所述第二磁场组件3包括第二导磁环31、位于第二导磁环31外周的第三导磁环32、以及多根沿圆周方向布置于第二导磁环31和第三导磁环32之间的第二磁柱33，各所述第二磁柱33沿径向布置，所述第三磁场组件4包括第四导磁环41、位于第四导磁环41上方的第五导磁环42、以及多组沿圆周方向布置于第四导磁环41和第五导磁环42之间的第三磁柱43。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第四十八研究所，其通讯地址为：410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号