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龙图腾网获悉京瓷株式会社申请的专利光检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115152024B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180016936.1，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权光检测装置是由野口登;柳原康宏;岛信之设计研发完成，并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本光检测装置在说明书摘要公布了：具备基板和多个像素部，多个像素部包含：位于有效区域内的像素部的第1光检测元件；和位于非有效区域内的像素部的第2光检测元件。第1光检测元件具有第1下部电极层、第1下部杂质半导体层、第1本征半导体层、第1上部杂质半导体层以及第1上部电极层，第2光检测元件具有第2下部电极层、第2下部杂质半导体层、第2本征半导体层、第2上部杂质半导体层以及第2上部电极层，第2下部电极层被第2下部杂质半导体层以及第2本征半导体层覆盖。

本发明授权光检测装置在权利要求书中公布了：1.一种光检测装置，包含： 基板； 多个像素部，在所述基板上在行方向以及列方向上排列并配设成矩阵状； 第1光检测元件，是所述多个像素部之中、在所述基板上位于用在光检测中的有效区域内的像素部中所具备的；和 第2光检测元件，是所述多个像素部之中、在所述基板上位于包围所述有效区域的不用在光检测中的非有效区域内的像素部中所具备的， 所述第1光检测元件具有第1下部电极层、第1下部杂质半导体层、第1本征半导体层、第1上部杂质半导体层和第1上部电极层， 所述第1下部电极层被配置于所述基板上， 所述第1下部杂质半导体层在所述第1下部电极层上在俯视下被配置于所述第1下部电极层的内侧并包含第1杂质半导体， 所述第1本征半导体层被配置于所述第1下部杂质半导体层上， 所述第1上部杂质半导体层被配置于所述第1本征半导体层上并包含第2杂质半导体， 所述第1上部电极层被配置于所述第1上部杂质半导体层上， 所述第2光检测元件具有第2下部电极层、第2下部杂质半导体层、第2本征半导体层、第2上部杂质半导体层和第2上部电极层， 所述第2下部电极层被配置于所述基板上， 所述第2下部杂质半导体层在所述第2下部电极层上覆盖所述第2下部电极层而被配置并包含所述第1杂质半导体， 所述第2本征半导体层被配置于所述第2下部杂质半导体层上， 所述第2上部杂质半导体层被配置于所述第2本征半导体层上并包含所述第2杂质半导体， 所述第2上部电极层被配置于所述第2上部杂质半导体层上。

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