台湾积体电路制造股份有限公司陈建源获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路结构和形成集成电路结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110102099.6，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权集成电路结构和形成集成电路结构的方法是由陈建源;谢豪泰设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路结构和形成集成电路结构的方法在说明书摘要公布了：一种集成电路IC结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含第一有源区域和安置在第一有源区域上的第一栅极，其中，第一栅极沿平行于第一有源区域的纵向方向的第一方向具有第一有效栅极长度。第二晶体管包含第二有源区域和安置在第二有源区域上的第二栅极，并且包含沿第一方向布置并且彼此分离的多个栅极结构，其中，第二栅极沿第一方向具有第二有效栅极长度，第二有效栅极长度是第一有效栅极长度的n倍，并且n为大于1的正整数。根据本申请的其他实施例，还提供了形成集成电路结构的方法。
本发明授权集成电路结构和形成集成电路结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 第一晶体管，包括： 第一有源区域；以及 第一栅极，安置在所述第一有源区域上，其中，所述第一栅极沿平行于所述第一有源区域的纵向方向的第一方向具有第一有效栅极长度；以及 第二晶体管，包括： 第二有源区域；以及 第二栅极，安置在所述第二有源区域上，并且所述第二晶体管包括沿所述第一方向布置并且彼此分离的多个栅极结构，其中，所述第二栅极沿所述第一方向具有第二有效栅极长度，所述第二有效栅极长度是所述第一有效栅极长度的n倍，并且n为大于1的正整数； 其中，所述第二栅极的所述多个栅极结构电连接至同一电压节点，所述第二栅极的第一组所述栅极结构具有第一栅极长度，所述第一栅极长度是所述第一有效栅极长度的m倍，第二组所述栅极结构具有第二栅极长度，所述第二栅极长度是所述第一有效栅极长度的o倍，其中，m和o为不同的正整数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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