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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110016194.4，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权半导体装置是由小林仁设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种可靠性优异的半导体装置，具备具有半导体层的半导体元件及设在半导体元件上的布线层，布线层具有第一至第三电极、绝缘膜、第一及第二电极焊盘，第一至第三电极位于半导体元件与绝缘膜之间，第二电极和第一电极焊盘绝缘，第一电极和第二电极焊盘绝缘，第一电极和第一电极焊盘电连接，第二电极和第二电极焊盘电连接，从第一电极和第一电极焊盘连接的部分的第一电极焊盘的第一面到半导体层的距离比从第二电极和第一电极焊盘绝缘的部分的第一电极焊盘的第一面到半导体层的距离大，从第二电极和第二电极焊盘连接的部分的第二电极焊盘的第一面到半导体层的距离比从第一电极和第二电极焊盘绝缘的部分的第二电极焊盘的第一面到半导体层的距离大。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备具有半导体层的半导体元件，并在所述半导体元件上具备布线层，所述布线层在所述半导体元件上具有第一电极，在所述半导体元件上具有第二电极，在所述半导体元件上具有第三电极，在所述第一电极、第二电极以及所述第三电极上具有绝缘膜，在所述绝缘膜上具有将所述半导体元件侧的相反侧作为第一面的第一电极焊盘，所述布线层具有第二电极焊盘，所述第二电极焊盘在所述绝缘膜上与所述第一电极焊盘相邻，并将所述半导体元件侧的相反侧作为第一面，所述第一电极、所述第二电极以及所述第三电极位于所述半导体元件与所述绝缘膜之间，所述第二电极和所述第一电极焊盘经由所述绝缘膜而绝缘，所述第一电极和所述第二电极焊盘经由所述绝缘膜而绝缘，所述第一电极和所述第一电极焊盘经由设于所述绝缘膜的第一开口部相接而电连接，所述第二电极和所述第二电极焊盘经由设于所述绝缘膜的第二开口部相接而电连接，所述第一电极焊盘连接有第一接合线，所述第二电极焊盘连接有第二接合线，在所述第一电极焊盘的连接有所述第一接合线的区域中，从所述第一电极和所述第一电极焊盘连接的部分的所述第一电极焊盘的第一面到所述半导体层的距离比从所述第二电极和所述第一电极焊盘绝缘的部分的所述第一电极焊盘的第一面到所述半导体层的距离大，在所述第二电极焊盘的连接有所述第二接合线的区域中，从所述第二电极和所述第二电极焊盘连接的部分的所述第二电极焊盘的第一面到所述半导体层的距离比从所述第一电极和所述第二电极焊盘绝缘的部分的所述第二电极焊盘的第一面到所述半导体层的距离大，从所述第一电极和所述第一电极焊盘连接的部分的所述第一电极焊盘的第一面到所述半导体层的距离与从所述第二电极和所述第一电极焊盘绝缘的部分的所述第一电极焊盘的第一面到所述半导体层的距离之差为1μm以上且10μm以下，从所述第二电极和所述第二电极焊盘连接的部分的所述第二电极焊盘的第一面到所述半导体层的距离与从所述第一电极和所述第二电极焊盘绝缘的部分的所述第二电极焊盘的第一面到所述半导体层的距离之差为1μm以上且10μm以下。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。