中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011641591.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由张海洋;纪世良设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底内形成初始凹槽，所述初始凹槽的侧壁表面和底部表面之间的夹角具有第一曲率；在初始凹槽侧壁表面和底部表面形成覆盖层，使所述初始凹槽形成第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁表面和底部表面之间的夹角为直角，或者所述第一凹槽侧壁表面和底部表面之间的夹角具有第二曲率，且所述第二曲率小于所述第一曲率；在覆盖层上形成鳍部材料层，所述鳍部材料层填充满所述第一凹槽。所述方法形成的鳍部结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在衬底内形成初始凹槽，所述初始凹槽的侧壁表面和底部表面之间的夹角具有第一曲率； 在初始凹槽侧壁表面和底部表面形成覆盖层，使所述初始凹槽形成第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁表面和底部表面之间的夹角为直角； 在覆盖层上形成鳍部材料层，所述鳍部材料层填充满所述第一凹槽。
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