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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种MTJ结构中固定层的优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011535003.7，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种MTJ结构中固定层的优化方法是由韩谷昌;王明;杨晓蕾;哀立波;张恺烨;刘波设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MTJ结构中固定层的优化方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MTJ结构中固定层的优化方法，包括以下步骤：减小固定层磁性层的厚度；调节各磁性层的磁矩，使得固定层在自由层处的偏置场符合设定值。与现有技术相比，本发明提供的MTJ结构中固定层的优化方法能够在不影响MTJ结构整体稳定性的基础上，减小固定层厚度，从而减轻MTJ刻蚀损伤。实验结果表明，本发明提供的MTJ结构中固定层的优化方法一方面，降低MTJ刻蚀损伤，同时不影响参考层稳定性；另一方面，降低整体存储单元的厚度，有利于减少刻蚀时间，也为扩展到小尺寸提供光刻Litho及硬掩模HM更多选择。

本发明授权一种MTJ结构中固定层的优化方法在权利要求书中公布了：1.一种MTJ结构中固定层的优化方法，包括以下步骤： 减小固定层磁性层的厚度；调节各磁性层的磁矩，使得固定层在自由层处的偏置场符合设定值； 所述MTJ结构包括第一钉扎层、第二钉扎层、位于第一钉扎层和第二钉扎层之间的反铁磁耦合层、过渡层、参考层、势垒层和自由层； 所述固定层包括第一钉扎层、第二钉扎层、位于第一钉扎层和第二钉扎层之间的反铁磁耦合层、过渡层和参考层； 所述减小固定层磁性层的厚度和调节各磁性层的磁矩包括： a）减小第一钉扎层PL1的厚度，并提高第一钉扎层PL1的磁矩； 步骤a）中所述减小第一钉扎层PL1的厚度的过程具体为：降低CoPtn多层中Co和Pt的厚度到每个分子层； 步骤a）中所述提高第一钉扎层PL1的磁矩的方式为采用高磁饱和磁化Ms的Co合金；所述高磁饱和磁化Ms的Co合金选自CoxFe1-x或CoFeNi，其中，x为0.1~0.4； b）减小第二钉扎层PL2的磁矩，并降低第二钉扎层PL2的厚度； 步骤b）中所述减小第二钉扎层PL2的磁矩的方式为采用低磁饱和磁化Ms的磁性层； 步骤b）中所述降低第二钉扎层PL2的厚度的过程具体为：降低CoPtn多层中Co和Pt的厚度到每个分子层； c）减小参考层RL的厚度，并降低参考层RL的磁矩； 步骤c）中所述减小参考层RL的厚度至≤1nm； 步骤c）中所述降低参考层RL的磁矩的方式为采用低磁饱和磁化Ms同时阻尼因子高的铁磁材料。

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