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龙图腾网获悉南通尚阳通集成电路有限公司申请的专利平面功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649397B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011518527.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权平面功率半导体器件是由周翔;郑辉设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本平面功率半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平面功率半导体器件，器件单元包括：形成于衬底上的第一外延层；栅极结构形成于第一外延层表面；源区和栅极结构的第一侧面自对准；漏区和栅极结构的第二侧面具有间隔；漂移区位于栅极结构的第二侧面和漏区之间；导电沟道由被栅极结构所覆盖的第一外延层表面反型时形成反型层组成；漂移区的掺杂浓度分布形成电荷平衡结构，在反偏时，电荷平衡结构使得漂移区被全部耗尽且表面电场分布均匀。本发明能实现漂移区的电荷平衡结构，从而能减小比导通电阻并大幅度减小器件在开通时的能量损耗，特别适用于氮化镓功率器件，能充分发挥氮化镓材料的优势，减小氮化镓器件制造的成本并且简化工艺流程。

本发明授权平面功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种平面功率半导体器件，其特征在于，器件单元包括： 形成于衬底上的第一外延层； 栅极结构形成于所述第一外延层表面；所述栅极结构包括形成于所述第一外延层表面的栅介质层和形成于所述栅介质层表面的栅极导电材料层； 第一导电类型重掺杂的源区和所述栅极结构的第一侧面自对准； 第一导电类型重掺杂的漏区和所述栅极结构的第二侧面具有间隔； 第一导电类型掺杂的漂移区位于所述栅极结构的第二侧面和所述漏区之间； 导电沟道由被所述栅极结构所覆盖的所述第一外延层表面反型时形成反型层组成； 所述漂移区的掺杂浓度分布形成电荷平衡结构，在反偏时，所述电荷平衡结构使得所述漂移区被全部耗尽且表面电场分布均匀； 平面功率半导体器件为氮化镓平面场效应晶体管； 所述衬底为绝缘衬底； 所述第一外延层为氮化镓外延层； 所述第一外延层为第二导电类型掺杂或者为非掺杂； 控制所述漂移区的总掺杂剂量使所述漂移区形成电荷平衡结构； 所述漂移区由形成于所述第一外延层表面上的经过局部刻蚀后的第二外延层组成；在纵向上，所述漏区从所述第二外延层的顶部表面延伸到所述第一外延层中；所述漂移区的所述第二外延层在纵向上分成多个第二外延子层；各所述第二外延子层的第二侧面平齐且都和所述漏区的第一侧面对准；在从底部往顶部的纵向上，各所述第二外延子层的第一侧面和所述栅极结构的第一侧面的距离增加； 各所述第二外延子层的掺杂浓度不相等； 在从底部往顶部的纵向上，各所述第二外延子层的掺杂浓度依次增加或者依次降低或者先依次增加并在增加到最大值后再依次降低或者先依次降低并在降低到最小值后再依次增加。

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