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三星电子株式会社白尚训获国家专利权

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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112908988B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011405734.X,技术领域涉及:H10D89/10;该发明授权半导体器件是由白尚训;李昇映设计研发完成,并于2020-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体器件在说明书摘要公布了:提供一种半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上延伸的第一方向多个配线以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的第二方向多个配线。在第一方向上延伸的第一方向多个配线包括:栅极配线,在第二方向上以栅极节距彼此间隔开;第一配线,在栅极配线之上,在第二方向上以第一节距彼此间隔开;第二配线,在第一配线之上,在第二方向上以第二节距彼此间隔开;以及第三配线,在第二配线之上,在第二方向上以第三节距彼此间隔开。栅极节距和第二节距之间的比率为6:5。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,包括: 第一方向多个配线,在第一方向上延伸;和 第二方向多个配线,在与所述第一方向相交的第二方向上延伸, 在所述第一方向上延伸的所述第一方向多个配线包括: 栅极配线,在所述第二方向上以栅极节距彼此间隔开, 第一配线,在所述栅极配线之上并在VDD电源配线之上,所述第一配线在所述第二方向上以第一节距彼此间隔开, 第二配线,在所述第一配线之上,在所述第二方向上以第二节距彼此间隔开,以及 第三配线,在所述第二配线之上,在所述第二方向上以第三节距彼此间隔开, 所述栅极节距、所述第一节距、所述第二节距和所述第三节距之间的比率为6:4:5:9,所述比率基于所述栅极节距、所述第一节距、所述第二节距和所述第三节距的最小公倍数, 所述第二方向多个配线包括: 所述VDD电源配线,在层间绝缘层中, 连接配线,在所述层间绝缘层中并直接连接到栅极通路,该栅极通路直接连接到所述栅极配线中的一个,以及 VSS电源配线,在所述层间绝缘层中, 所述VDD电源配线、所述VSS电源配线和所述连接配线在所述半导体器件中位于相同的水平。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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