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龙图腾网获悉深圳市紫光同创电子有限公司申请的专利电平转换电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112532230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011385845.9，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权电平转换电路是由王先宏;梁爱梅;温长清;陆让天设计研发完成，并于2020-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本电平转换电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电平转换电路，包括电平转换单元和占空比单元；所述电平转换单元包括：输入节点、用以输出具有所需电平的输出信号的输出节点、调节输入节点和用以调节输出信号占空比的调节输出节点；所述占空比单元藕接在所述调节输入节点和调节输出节点之间；所述占空比单元，用于调节输出信号的占空比。本发明的电平转换电路，其电平转换单元用以输出具有所需电平的输出信号，并通过在电平转换单元中藕接占空比单元，从而在不改变电平转换单元尺寸比例的情况下，有效地调节输出信号的占空比，进而改善输出信号质量。

本发明授权电平转换电路在权利要求书中公布了：1.一种电平转换电路，其特征在于，包括电平转换单元和占空比单元； 所述电平转换单元包括：输入节点、用以输出具有所需电平的输出信号的输出节点、调节输入节点和用以调节输出信号占空比的调节输出节点； 所述占空比单元藕接在所述调节输入节点和所述调节输出节点之间； 所述占空比单元包括第一缓冲器，用于将所述调节输入节点输入的信号延时后自所述调节输出节点输出，以调节所述输出信号的占空比； 所述电平转换单元还包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一反相器和反向输入节点； 所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极相连于所述输入节点，所述第一PMOS管的源极连接第一供电电源，所述第一PMOS管的漏极连接第三PMOS管的源极，所述第三PMOS管的栅极连接所述输出节点，所述第三PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连于所述调节输入节点，所述第一NMOS管的源极连接接地端； 所述第二PMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极相连于所述反向输入节点，所述第二PMOS管的源极连接所述第一供电电源，所述第二PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极，所述第四PMOS管的栅极连接所述调节输出节点，所述第四PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极相连于所述输出节点，所述第二NMOS管的源极连接所述接地端； 所述第一反相器串接在所述输入节点与所述反向输入节点之间，所述第一反相器由第二供电电源供电。

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