索泰克公司金勇必获国家专利权
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龙图腾网获悉索泰克公司申请的专利形成针对RF应用的复合结构的处理衬底的方法及处理衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114586172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080072350.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权形成针对RF应用的复合结构的处理衬底的方法及处理衬底是由金勇必;D·德尔普拉;L·卡佩罗;I·伯特兰;F·阿利伯特设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成针对RF应用的复合结构的处理衬底的方法及处理衬底在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于复合结构的处理衬底100，所述处理衬底100包括：基础衬底12，所述基础衬底12由通过Czochralski拉制获得的单晶硅晶片1上的硅外延层2构成，所述单晶硅晶片1具有10到500ohm.cm之间的电阻率，所述硅外延层2具有高于2000ohm.cm的电阻率以及2到100微米之间的厚度；钝化层3，所述钝化层3在所述硅外延层2上并且与所述硅外延层2接触，所述钝化层3是非晶的或多晶的；‑电荷俘获层4，所述电荷俘获层4在所述钝化层3上并且与所述钝化层3接触。本发明还涉及一种形成这种衬底的方法。
本发明授权形成针对RF应用的复合结构的处理衬底的方法及处理衬底在权利要求书中公布了：1.一种用于复合结构的处理衬底100，所述处理衬底100包括： -基础衬底12，所述基础衬底12由通过Czochralski拉制获得的单晶硅晶片1上的硅外延层2形成，所述单晶硅晶片1具有10到500ohm.cm之间的电阻率，所述硅外延层2表现出大于2000ohm.cm的电阻率以及从2到100微米范围内的厚度， -钝化层3，所述钝化层3在所述硅外延层2上并且与所述硅外延层2接触，所述钝化层3是非晶的或多晶的， -电荷俘获层4，所述电荷俘获层4在所述钝化层3上并且与所述钝化层3接触， 所述处理衬底100的特征在于： -所述钝化层3是通过所述硅外延层2的表面的碳化而形成的碳化硅层，所述碳化通过将所述硅外延层2的自由表面在低于大气压的压力下暴露于单一碳前体气体来执行，或者 -所述钝化层3是通过所述硅外延层2的表面的氮化而形成的氮化硅层，所述氮化通过将所述硅外延层2的自由表面在0.1托至760托之间的压力下暴露于氮前体气体来执行。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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