意法半导体(图尔)公司O·奥里获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(图尔)公司申请的专利保护装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112349776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010794409.0,技术领域涉及:H10D10/60;该发明授权保护装置是由O·奥里设计研发完成,并于2020-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本保护装置在说明书摘要公布了:本公开的实施例提供了一种保护装置。本公开提供了一种包括衬底的电子装置。衬底包括阱和横向地围绕该阱的外围绝缘壁。在阱中形成至少一个横向双极型晶体管,并且至少一个晶体管具有在平行的集电极区域和发射极区域下延伸的基极区域。外围绝缘壁在平行于集电极区域和发射极区域的第一方向上被加宽,使得基极区域穿透到外围绝缘壁中。
本发明授权保护装置在权利要求书中公布了:1.一种电子装置,包括衬底,所述衬底包括: 阱; 外围绝缘壁,横向地围绕所述阱;以及 至少一个横向双极型晶体管,形成在所述阱中,并且所述至少一个横向双极型晶体管具有在平行的集电极区域和发射极区域下延伸的基极区域; 所述外围绝缘壁在平行于所述集电极区域和所述发射极区域的第一方向上被加宽,使得所述基极区域穿透到所述外围绝缘壁中,其中: 所述衬底具有第一导电类型; 所述外围绝缘壁具有所述第一导电类型; 所述基极区域具有所述第一导电类型; 所述阱具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型;并且 所述集电极区域和所述发射极区域具有所述第二导电类型。
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