买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉ASM IP 控股有限公司申请的专利具有中间腔室的半导体气相蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242322B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010684945.5，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权具有中间腔室的半导体气相蚀刻装置是由T·E·布隆伯格;V·沙尔玛设计研发完成，并于2020-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有中间腔室的半导体气相蚀刻装置在说明书摘要公布了：公开一种半导体气相蚀刻装置。所述装置可以包括介于蒸气源与反应腔室之间的中间腔室。可以将蚀刻反应物蒸气从所述中间腔室以脉冲形式递送到所述反应腔室以蚀刻基材。

本发明授权具有中间腔室的半导体气相蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种从基材移除材料层的半导体蚀刻装置，其包含： 反应腔室； 在所述反应腔室上游并且与其流体连通的中间腔室，所述中间腔室被配置成将蚀刻反应物蒸气递送到所述反应腔室中； 在所述中间腔室上游并且与其流体连通的蚀刻反应物蒸气的源，所述源被配置成将所述蚀刻反应物蒸气递送到所述中间腔室中； 沿介于所述源与所述中间腔室之间的反应物供应管线安置的第一阀，所述第一阀被配置成调节流向所述中间腔室的所述蚀刻反应物蒸气的流； 沿介于所述中间腔室与所述反应腔室之间的反应物供应管线安置的第二阀，所述第二阀被配置成调节流向所述反应腔室的所述蚀刻反应物蒸气的流； 在所述第二阀和所述反应腔室之间的第三阀，所述第三阀具有多个可调流导率，其中，所述第三阀包括配置成调节到期望流导率的针阀；和 控制系统，所述控制系统被配置成控制所述第一阀、所述第二阀和所述反应腔室的操作，所述控制系统被配置成至少部分地基于所述第三阀的流导率来控制所述蚀刻反应物蒸气的分压； 其中，所述控制系统被配置成通过将所述反应物蒸气以脉冲形式递送到所述反应腔室中来控制材料层从基材的移除； 其中，在第一蚀刻模式中，控制系统配置成： 在每个脉冲中指示所述第一阀闭合并指示所述第二阀开放，以将所述中间腔室中的仅一部分量的所述蚀刻反应物蒸气转移到所述反应腔室中，所述一部分量基本上小于全部量， 将反应腔室中的蚀刻反应物蒸汽的压力线性增加到第一压力水平，以及 在达到第一压力水平后，线性降低反应腔室中蚀刻反应物蒸汽的压力； 其中，在第二蚀刻模式中，所述控制系统被配置成: 在每个脉冲中指示所述第一阀闭合并指示所述第二阀开放，以将所述中间腔室中大体上全部量的所述蚀刻反应物蒸气转移到所述反应腔室中， 将所述反应腔室中的所述蚀刻反应物蒸汽的压力线性增加到高于所述第一压力水平的第二压力水平，以及 在达到第二压力水平后，线性降低反应腔室中蚀刻反应物蒸汽的压力；和 其中，在第三蚀刻模式中，所述控制系统被配置成: 在每个脉冲期间同时指示所述第一阀开放和所述第二阀开放，每个脉冲具有不同于第一类型的第三类型和第二类型，每个脉冲将反应腔室中的蚀刻反应物蒸汽的压力增加到第三压力水平， 在达到第三压力水平之后，将反应腔室中的蚀刻反应物蒸汽的压力保持在第三压力水平并经过一段时间，以及 降低反应腔室中蚀刻反应物蒸汽的压力。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人ASM IP 控股有限公司，其通讯地址为：荷兰，阿尔梅勒；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。