盛合晶微半导体(江阴)有限公司黄晗获国家专利权
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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利晶圆级封装结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010653364.5，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权晶圆级封装结构及制备方法是由黄晗;林正忠;吴政达;陈彦亨设计研发完成，并于2020-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆级封装结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆级封装结构及制备方法，晶圆级封装结构包括具有TSV的晶圆、第一重新布线层、第二重新布线层、键合焊盘、芯片、保护层及封装层。其中，通过具有TSV的晶圆以及位于晶圆相对两面的第一重新布线层及第二重新布线层，可形成三维方向堆叠密度大、外形尺寸小的晶圆级封装结构，且可降低单一RDL的制造难度，以降低工艺复杂度及生产成本；通过TSV进行互连，可使得具有TSV的晶圆上下面良好导通，从而可大大提高芯片的速度并降低功耗，以形成具有较好的电热性能和高效率传输性能的晶圆级封装结构。
本发明授权晶圆级封装结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供晶圆，所述晶圆包括相对的第一面及第二面，且所述晶圆包括若干TSV； 形成第一重新布线层，所述第一重新布线层覆盖所述晶圆的第一面，且与所述TSV的第一端电连接； 提供支撑基底，通过分离层将所述第一重新布线层与所述支撑基底键合，所述分离层包括LTHC光热转换层； 减薄所述晶圆，以显露所述TSV的第二端； 形成第二重新布线层，所述第二重新布线层覆盖所述晶圆的第二面，且与所述TSV的第二端电连接； 形成键合焊盘，所述键合焊盘位于所述第二重新布线层上，且与所述第二重新布线层电连接； 提供芯片，所述芯片位于所述第二重新布线层上，且所述芯片通过芯片焊盘与所述键合焊盘电连接； 形成保护层，所述保护层位于所述芯片与所述第二重新布线层之间，且填充所述芯片与所述第二重新布线层之间的间隙； 形成封装层，所述封装层位于所述第二重新布线层上，且覆盖所述芯片及第二重新布线层； 去除所述分离层及支撑基底，以显露所述第一重新布线层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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