买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利晶圆到晶圆接合方法及晶圆到晶圆接合设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112185850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010630336.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权晶圆到晶圆接合方法及晶圆到晶圆接合设备是由任京彬;尹贤埈;赵光熙;李济元;韩珉洙;金俊亨;石承大设计研发完成，并于2020-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆到晶圆接合方法及晶圆到晶圆接合设备在说明书摘要公布了：在晶圆到晶圆接合方法中，第一晶圆被真空吸附在下平台的第一表面上，并且第二晶圆被真空吸附在上平台的第二表面上。通过下推动杆将压力施加到第一晶圆的中间部分，并且通过上推动杆将压力施加到第二晶圆的中间部分。第一晶圆和第二晶圆的接合径向向外传播。检测第一晶圆和第二晶圆的接合传播位置。下推动杆的突出长度和上推动杆的突出长度的比率根据接合传播位置而改变。

本发明授权晶圆到晶圆接合方法及晶圆到晶圆接合设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆接合设备，包括： 真空泵； 下平台，其具有第一表面并且包括所述第一表面中的多个第一吸附孔，其中，所述下平台被配置为基于真空压力从所述真空泵被供应到所述多个第一吸附孔来将第一晶圆真空吸附在所述第一表面上； 上平台，其具有第二表面并且包括所述第二表面中的多个第二吸附孔，其中，所述上平台被配置为基于真空压力从所述真空泵被供应到所述多个第二吸附孔来将第二晶圆真空吸附在所述第二表面上； 下推动杆，其能够移动穿过所述下平台的中间部分中的第一中心孔，以接触所述第一晶圆的与所述第一中心孔重叠的中间区域并向所述第一晶圆的所述中间区域施加压力； 上推动杆，其能够移动穿过所述上平台的中间部分中的第二中心孔，以接触所述第二晶圆的与所述第二中心孔重叠的中间区域并向所述第二晶圆的所述中间区域施加压力； 位置检测传感器，其被配置为基于通过所述下平台和所述上平台中的至少一个平台中的检测孔检测所述第一晶圆和所述第二晶圆中的至少一个，来生成指示所述第一晶圆和所述第二晶圆的接合传播位置的晶圆位置信息； 平台驱动器，其被配置为使所述下平台和所述上平台相对于彼此移动； 推动杆驱动器，其被配置为在竖直方向上移动所述下推动杆和所述上推动杆； 其中，所述真空泵被配置为将真空压力选择性地供应至所述多个第一吸附孔和所述多个第二吸附孔两者；以及 处理电路，其被配置为对所述平台驱动器、所述推动杆驱动器和所述真空泵的操作进行控制，所述处理电路还被配置为对所述晶圆位置信息进行处理以检测所述接合传播位置，所述处理电路还被配置为执行以下项中的至少一项： 根据所述接合传播位置使所述下推动杆的突出长度与所述上推动杆的突出长度的比率随时间而增加，以使得在接合初始时间处，所述下推动杆的突出长度小于所述上推动杆的突出长度，并且在所述接合初始时间之后的接合传播时间处，所述下推动杆的突出长度等于或大于所述上推动杆的突出长度，和 根据所述接合传播位置使所述上平台的吸附面积与所述下平台的吸附面积的比率，随时间减小，以使得在接合初始时间处，在所述上平台的外围区域中形成第一吸附区并且在所述下平台的外围区域中形成具有小于所述第一吸附区的面积的第二吸附区，并且在所述接合初始时间之后的接合传播时间处，在所述上平台的外围区域中形成具有等于或小于所述第二吸附区的面积的第三吸附区，并且在所述下平台的外围区域中形成具有等于所述第二吸附区的面积的第四吸附区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。