HOYA株式会社福井亨获国家专利权
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龙图腾网获悉HOYA株式会社申请的专利掩膜基板、转印用掩膜及其制造方法、半导体设备的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112147840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010564772.3，技术领域涉及：G03F1/32；该发明授权掩膜基板、转印用掩膜及其制造方法、半导体设备的制造方法是由福井亨;桥本雅广;打田崇设计研发完成，并于2020-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩膜基板、转印用掩膜及其制造方法、半导体设备的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种掩膜基板，能够在光刻胶膜上形成线宽度比激光描绘装置的激光的波长小的图案。掩膜基板在基板上具备遮光膜。遮光膜由含有金属元素的材料构成。遮光膜是所述金属元素的含量在厚度方向上变化的组分倾斜膜。在遮光膜从接近基板的一方依次被分割为遮光部和防反射部时，防反射部相对于350nm以上且520nm以下的波长区域的光的折射率nA为2.1以下。在波长区域的光透过所述防反射部时波长区域的光所产生的相位差为28度以上。
本发明授权掩膜基板、转印用掩膜及其制造方法、半导体设备的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜基板，在基板上具备遮光膜，其特征在于， 所述遮光膜由含有金属元素的材料构成， 所述遮光膜是所述金属元素的含量在厚度方向上变化的组分倾斜膜， 在所述遮光膜从接近所述基板的一方依次被分割为遮光部和防反射部时， 所述防反射部相对于350nm以上且520nm以下的波长区域的光的折射率nA为2.1以下， 在所述波长区域的光透过所述防反射部时所述波长区域的光所产生的、以与所述防反射部的厚度相同的距离在空气中透射的光之间的相位差为28度以上， 所述防反射部的膜厚为20nm以上且60nm以下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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