中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113823689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010567168.6，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2020-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：基底；栅极结构，位于所述基底上，包括第一区和第二区，所述第一区的栅极结构长度大于所述第二区的栅极结构长度；分割段，位于所述第一区的栅极结构内，所述分割段的顶部表面高于所述栅极结构的顶部表面；用在栅极结构内形成分割段，分割段的顶部表面高于栅极结构的顶部表面，这样后续在栅极结构上形成金属层作为互连层时，金属层与栅极结构之间的短接问题得到解决，使得形成的半导体器件的质量得到提高。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底； 栅极结构，位于所述基底上，包括第一区和第二区，所述第一区的栅极结构长度大于所述第二区的栅极结构长度，所述栅极结构包括栅介质层； 分割段，位于所述第一区的栅极结构内，所述分割段的顶部表面高于所述栅极结构的顶部表面，所述分割段的底部位于所述栅介质层的表面； 金属层，所述金属层的底部表面与所述分割段一侧处的所述栅极结构的顶部表面接触，所述分割段将所述金属层与所述分割段另一侧的栅极结构进行隔离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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