东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所杉本俊获国家专利权
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龙图腾网获悉东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所申请的专利氧化硅膜、阻气膜用材料及氧化硅膜的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113785085B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080019987.5，技术领域涉及：C23C16/42；该发明授权氧化硅膜、阻气膜用材料及氧化硅膜的制造方法是由杉本俊;千叶洋一;田中陵二;布川真理奈设计研发完成，并于2020-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化硅膜、阻气膜用材料及氧化硅膜的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供即使是薄膜也显示出高阻气性能的氧化硅膜。该氧化硅膜满足下述1及2的要件：1膜厚500nm以下时的水蒸气透过率WVTR为9.0×10‑3gm2·天以下。2通过X射线光电子能谱法XPS测定的膜中碳浓度为3.0atom％以下。
本发明授权氧化硅膜、阻气膜用材料及氧化硅膜的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种层叠膜，其由氧化硅膜和基板形成，所述氧化硅膜满足下述1及2的要件： 1膜厚500nm以下时的水蒸气透过率WVTR为1.0×10-6～9.0×10-4gm2·天； 2通过X射线光电子能谱法XPS测定的膜中碳浓度为1.5atom％以下， 所述氧化硅膜是在成膜压力0.01Pa以上且小于20Pa、在高频电源的功率为100W以上的条件下通过等离子体增强化学气相沉积法将下述阻气膜用材料成膜而得到的，所述阻气膜用材料为选自下述中的任意材料： 三甲氧基异丙基硅烷、叔丁基三甲氧基硅烷、叔丁基三乙氧基硅烷、1,2-二甲基丙基三甲氧基硅烷。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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