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东京毅力科创株式会社H·吉姆·富尔福德获国家专利权

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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利使用光电标记对半导体器件进行裸片级唯一认证和序列化的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113785384B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080027902.8,技术领域涉及:H01L21/3213;该发明授权使用光电标记对半导体器件进行裸片级唯一认证和序列化的方法是由H·吉姆·富尔福德;安东尼·舍皮斯;安东·德维利耶设计研发完成,并于2020-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

使用光电标记对半导体器件进行裸片级唯一认证和序列化的方法在说明书摘要公布了:一种用于在裸片级标记半导体衬底以提供唯一认证和序列化的方法,该方法包括:使用基于掩模的光刻法将第一图案的光化辐射投射到该衬底上的光刻胶层上,该第一图案限定半导体器件结构;以及使用直写式投射将第二图案的光化辐射投射到该光刻胶层上,该第二图案限定具有唯一电气签名的唯一布线结构。

本发明授权使用光电标记对半导体器件进行裸片级唯一认证和序列化的方法在权利要求书中公布了:1.一种对衬底进行标记的方法,所述方法包括: 在衬底上形成光刻胶层; 使用基于掩模的光刻系统将第一图案的光化辐射投射到所述光刻胶层上,所述第一图案限定半导体器件结构; 使用直写式投射系统将第二图案的光化辐射投射到所述光刻胶层上,所述第二图案限定具有唯一电气签名的唯一布线结构并且与所述衬底的唯一标记相关; 对所述光刻胶层进行显影以生成浮雕图案;以及 形成具有所述唯一电气签名的所述唯一布线结构, 其中,所述唯一布线结构是导电路径的矩阵,其中,至少一个所述导电路径上布置有块,所述块是所述导电路径的一部分,具有增加的厚度以及降低的电阻率,以及 其中,通过坐标位置来改变所述块在导电路径上的放置,以限定所述唯一布线结构的不同图形布置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人东京毅力科创株式会社,其通讯地址为:日本东京都;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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