GaN系统公司侯赛因·穆萨维获国家专利权
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龙图腾网获悉GaN系统公司申请的专利快速脉冲、高电流激光驱动器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112868148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080005734.2,技术领域涉及:H01S5/042;该发明授权快速脉冲、高电流激光驱动器是由侯赛因·穆萨维;拉里·斯帕齐亚尼设计研发完成,并于2020-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本快速脉冲、高电流激光驱动器在说明书摘要公布了:公开了用于驱动需要高电流和快速脉冲的二极管激光系统的包含氮化镓GaN功率晶体管的脉冲激光驱动器,诸如用于LIDAR光检测和测距系统的激光驱动器。驱动器能够递送具有峰值电流≥100A例如170A的脉冲,以提供高峰值功率、具有纳秒上升时间和纳秒脉冲持续时间的快速脉冲,用于驱动每通道40A、每通道120W输出、组合峰值输出480W的多通道激光二极管阵列。对于较低的占空比,公开了包含高电流功率晶体管的示例驱动器电路,所述高电流功率晶体管用于利用驱动辅助的直接驱动。对于较高的占空比,公开了包含两个高电流功率晶体管的示例谐振驱动器电路。使用GaN技术的谐振驱动器电路的实现为以较高重复率的短脉冲操作或用于脉冲编码调制提供快速充电。
本发明授权快速脉冲、高电流激光驱动器在权利要求书中公布了:1.一种用于驱动激光器部件的电路,所述电路配置成在充电阶段和激光发射阶段中操作,在所述充电阶段中所述激光器部件不发射激光,在所述激光发射阶段中所述激光器部件发射激光,所述电路包括: 电感器; 电容器,所述电容器具有连接到电源的第一端子和连接到参考电压源的第二端子,参考电压接地; 串联连接在所述电感器与所述参考电压源之间的第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管具有控制电流是否从所述第一晶体管的漏极流到源极的栅极,所述第一晶体管的所述漏极经由所述电感器连接到所述电容器的第一端子,所述第一晶体管的所述源极电耦合到所述激光器部件,所述第二晶体管具有控制电流是否从所述第二晶体管的漏极流到源极的栅极,所述第二晶体管的所述漏极直接连接到所述第一晶体管的所述源极,所述第二晶体管的所述源极连接到所述参考电压源; 第一栅极驱动器,所述第一栅极驱动器连接到所述第一晶体管的所述栅极以控制所述第一晶体管是接通还是关断,所述第一栅极驱动器配置成在所述充电阶段及所述激光发射阶段两者期间保持所述第一晶体管接通; 第二栅极驱动器,所述第二栅极驱动器连接到所述第二晶体管的所述栅极以控制所述第二晶体管是接通还是关断,所述第二栅极驱动器配置成在所述充电阶段期间保持所述第二晶体管接通,但在所述激光发射阶段期间关断所述第二晶体管, 所述电路配置成使得: 在所述充电阶段,向所述电容器的所述第一端子提供电荷,并且电流流经所述电感器、所述第一晶体管、所述第二晶体管,并进入所述参考电压源; 在所述激光发射阶段,电流流经所述电感器、所述第一晶体管,不流经所述第二晶体管,而是被转移到所述激光器部件,从而向所述激光器部件提供电流脉冲。
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