苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730813B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980102369.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权半导体结构的制作方法是由程凯;张丽旸设计研发完成，并于2019-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构1的制作方法，包括：先提供衬底10，衬底10包括若干器件区10a以及环绕每一器件区10a的外围区10b；接着在各个器件区10a上形成牺牲层11，在牺牲层11以及未覆盖牺牲层11的衬底10上形成半导体有源层13；图形化半导体有源层13，以去除外围区10b的半导体有源层13形成若干环状沟槽14，环状沟槽14暴露牺牲层11，使各个器件区10a的半导体有源层13分立；之后经环状沟槽14去除各个器件区10a的牺牲层11，从而使分立的半导体有源层13与衬底10分离，每一分离的半导体有源层13形成一半导体结构1。上述通过去除牺牲层11的方式可以实现大批量半导体结构1同时制作，成本较低；此外，剥离质量较好，不会损伤半导体有源层13。
本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底10，所述衬底10包括若干器件区10a以及环绕每一所述器件区10a的外围区10b；各个所述外围区10b连接，且至少一个所述外围区10b位于所述衬底10的侧壁； 在所述衬底10上形成牺牲层11，图形化所述牺牲层11，至少保留所述器件区10a的牺牲层11； 在所述牺牲层11以及衬底10上形成半导体有源层13；图形化所述半导体有源层13，以去除所述外围区10b的半导体有源层13形成若干环状沟槽14，使各个器件区10a的半导体有源层13分立； 经所述环状沟槽14去除所述各个器件区10a的牺牲层11，使所述分立的半导体有源层13与所述衬底10分离，每一分离的半导体有源层13形成一半导体结构1。
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