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龙图腾网获悉深圳市灵明光子科技有限公司申请的专利光电探测单元、光电探测结构和光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112825339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911141576.9，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权光电探测单元、光电探测结构和光电探测器及其制备方法是由臧凯;李爽;张超设计研发完成，并于2019-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电探测单元、光电探测结构和光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及光电探测单元、光电探测结构及其制备方法、光电探测器及其制备方法，其中，光电探测单元包括第一基底；第一结构，具有第一掺杂类型，形成于第一基底的正面上；第二结构，具有第二掺杂类型，形成于第一结构内，第一结构具有包围第二结构底面和侧面的底壁和侧壁；第一光处理层，具有凹凸结构，形成于第二结构的上表面；重掺杂区，具有第一掺杂类型，形成于侧壁内，重掺杂区的掺杂浓度大于侧壁的掺杂浓度；第一电极，与重掺杂区电连接；第二电极，与第二结构电连接。在本申请中，第一结构和第二结构形成光探测层，在光探测层上形成第一光处理层，通过第一光处理层对入射光线进行多次反射以增加光程，提高光探测层的光吸收效率。

本发明授权光电探测单元、光电探测结构和光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电探测单元，其特征在于，包括： 第一基底； 第一结构，具有第一掺杂类型，形成于所述第一基底上； 第二结构，具有第二掺杂类型，形成于所述第一结构内，所述第一结构具有包围所述第二结构底面和侧面的底壁和侧壁，所述底壁的掺杂浓度大于所述侧壁的掺杂浓度；所述第一结构的掺杂浓度自第一结构的底面向顶面逐渐递减；具有第一掺杂类型的第一结构和具有第二掺杂类型的第二结构构成PN结，在PN结的接触面形成雪崩界面，所述雪崩界面位于所述底壁；所述第二结构的掺杂浓度自顶部向底部依次递减，所述第二结构包括掺杂浓度依次递减的第三掺杂区、第二掺杂区和第一掺杂区，第一掺杂区设于所述底壁上； 第一光处理层，形成于所述第二结构的上表面，所述第一光处理层的表面具有凹凸结构；所述第一光处理层与第二结构的掺杂类型相反； 重掺杂区，具有第一掺杂类型，形成于所述侧壁内，所述重掺杂区的掺杂浓度大于所述侧壁的掺杂浓度； 第一电极，与所述重掺杂区电连接；及 第二电极，与所述第二结构电连接。

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