法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司P·G·卡佩莱蒂获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司申请的专利存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110828660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910726371.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权存储器器件是由P·G·卡佩莱蒂;G·纳瓦罗设计研发完成，并于2019-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及存储器器件。一种相变存储器单元在至少第一部分中包括至少一个锗层的堆叠，该至少一个锗层的堆叠被由锗、锑和碲的第一合金制成的至少一层覆盖。在编程状态下，由于将堆叠的一部分加热到足够的温度，锗层的一部分和第一合金的层的一部分形成由锗、锑和碲制成的第二合金，其中第二合金具有比第一合金高的锗浓度。
本发明授权存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 绝缘层，包括与第一相变存储器单元相关联的第一电阻加热元件、以及与第二相变存储器单元相关联的第二电阻加热元件； 层的堆叠，在所述第一电阻加热元件和所述第二电阻加热元件上方延伸，所述堆叠包括： 第一层，由锗、锑和碲的第一合金制成； 锗层，在由所述第一合金制成的所述第一层上方；以及 第二层，在所述锗层上方，由第一合金制成；以及 其中所述堆叠包括与所述第二电阻加热元件接触的区域，所述区域由锗、锑和碲的第二合金制成，其中所述第二合金具有比所述第一合金高的锗浓度，并且所述第二电阻加热元件耦合到导电通孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司，其通讯地址为：法国巴黎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号