意法半导体有限公司T·贝德卡尔拉茨获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体有限公司申请的专利具有静电放电保护的电子电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110660790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910575517.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权具有静电放电保护的电子电路是由T·贝德卡尔拉茨;L·德孔蒂;P·加利设计研发完成，并于2019-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有静电放电保护的电子电路在说明书摘要公布了：一种半导体衬底包括具有上表面的掺杂区。掺杂区可以包括二极管的传导端子诸如阴极或晶体管的传导端子诸如漏极。在掺杂区处提供硅化物层。该硅化物层具有仅部分覆盖掺杂区的上表面的区域的区域。部分区域覆盖有助于调制集成电路器件的阈值电压和或漏电流。
本发明授权具有静电放电保护的电子电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，包括： 半导体衬底； 晶体管，具有在所述半导体衬底的沟道区上在长度方向上延伸的晶体管栅极； 二极管，具有在所述半导体衬底的阳极区上在所述长度方向上延伸的二极管栅极； 其中所述半导体衬底包括位于所述晶体管栅极与所述二极管栅极之间的掺杂区，所述掺杂区在所述长度方向上延伸并且具有上表面； 硅化物层，与所述掺杂区的所述上表面接触，其中所述硅化物层具有仅部分覆盖所述掺杂区的所述上表面的区域的区域，所述硅化物层的所述区域具有比所述掺杂区的所述上表面的所述区域的长度短的长度，其中所述硅化物层的所述区域的长度和所述掺杂区的所述上表面的所述区域的长度均平行于所述长度方向延伸； 其中所述掺杂区形成彼此串联电连接的所述二极管的阴极和所述晶体管的漏极； 其中所述半导体衬底还包括用于所述晶体管的源极区，所述源极区在所述长度方向上延伸并具有上表面；以及 另一硅化物层，与所述源极区的所述上表面接触，其中所述另一硅化物层具有仅部分覆盖所述源极区的上表面的区域的区域，所述另一硅化物层的所述区域具有比所述源极区的所述上表面的所述区域的长度短的长度，其中所述另一硅化物层的所述区域的长度和所述源极区的所述上表面的所述区域的长度均平行于所述长度方向延伸。
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